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Immagine di copertina: Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories 9789402408393

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

  • Editore Pubblicato da Springer Copyright © 2016
  • "ISBN-13 9789402408393"
  • Formato Layout fisso

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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications e pubblicato da Springer. Gli ISBN digitali e di eTextbook per Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories sono 9789402408416, 940240841X e gli ISBN per la versione cartacea sono 9789402408393, 9402408398. Risparmia fino al 80% rispetto alla versione cartacea passando al digitale con VitalSource.

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