Immagine di copertina: Nonvolatile Memory Design 1st edition 9781138076631

Nonvolatile Memory Design

Magnetic, Resistive, and Phase Change

1st Edizione

  • Autore(i) Hai Li; Yiran Chen
  • Editore Pubblicato da CRC Press Copyright © 2012
  • "ISBN-13 9781138076631"
  • Formato Layout adattabile

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Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change 1st Edizione è scritto da Hai Li; Yiran Chen e pubblicato da CRC Press. Gli ISBN digitali e di eTextbook per Nonvolatile Memory Design sono 9781351834193, 1351834193 e gli ISBN per la versione cartacea sono 9781138076631, 1138076635. Risparmia fino al 80% rispetto alla versione cartacea passando al digitale con VitalSource. Ulteriori codici ISBN per questo eTextbook includono 9781315218304, 9781439807460, 9781351825504, 9781439807453.

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