Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications 2nd 版 著者: ByungEun Park; ‎Hiroshi Ishiwara; ‎Masanori Okuyama 出版 Springer. 以下のデジタルおよびeTextbook ISBNs: Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories : 9789811512124, 9811512124 および 印刷版のISBNは 9789811512117, 9811512116. VitalSource でデジタル化することで、印刷に比べて最大 80% 節約できます。

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications 2nd 版 著者: ByungEun Park; ‎Hiroshi Ishiwara; ‎Masanori Okuyama 出版 Springer. 以下のデジタルおよびeTextbook ISBNs: Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories : 9789811512124, 9811512124 および 印刷版のISBNは 9789811512117, 9811512116. VitalSource でデジタル化することで、印刷に比べて最大 80% 節約できます。