Omslagafbeelding: Nonvolatile Memory Design 1st edition 9781138076631

Nonvolatile Memory Design

Magnetic, Resistive, and Phase Change

1st Editie

  • Auteur(s) Hai Li; Yiran Chen
  • Uitgever Gepubliceerd door CRC Press Copyright © 2012
  • "ISBN-13 9781138076631"
  • Indeling Reflowable lay-out

eBook

Licentie eTextbook
‌
€152.60 EUR
‌‌
‌

  • Studietools

    Ingebouwde studiehulpmiddelen zoals markeringen en meer

  • Hardop voorlezen

    Luister en lees mee terwijl Bookshelf voorleest

  • Offline toegang

    Altijd en overal toegang tot je eTextbook

  • Algemene zoekfunctie

    Doorzoek de boekinhoud, illustraties en je werkmap

Meer informatie

Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change 1st Editie is geschreven door Hai Li; Yiran Chen en gepubliceerd door CRC Press. De digitale en eTextbook-ISBN's voor Nonvolatile Memory Design zijn 9781351834193, 1351834193 en de ISBN's voor gedrukt materiaal zijn 9781138076631, 1138076635. Bespaar tot 80% ten opzichte van gedrukte boeken door over te stappen op digitaal bij VitalSource. Aanvullende ISBN's voor dit eTextbook zijn 9781315218304, 9781439807460, 9781351825504, 9781439807453.

Terug naar boven