• التعليم وحلول الأعمال يفتح في نافذة جديدة
صورة الغلاف: Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories 9789402408393

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

  • الناشر نشر بواسطة Springer حقوق الطبع والنشر © 2016
  • "ISBN-13 9789402408393"
  • شكل التنسيق المحدد

الكتاب الالكتروني

ترخيص eTextbook
‌
﷼‎218.67 SAR
‌
‌

  • أدوات الدراسة

    أضف أدوات دراسة مثل التمييزات وغيرها

  • القراءة بصوت مسموع

    استمع وانصت أثناء قراءة Bookshelf لك

  • الوصول دون اتصال بالإنترنت

    قم بالوصول إلى الكتاب الدراسي الإلكتروني الخاص بك في أي وقت وأي مكان.

  • بحث عام

    ابحث في محتوى الكتاب والرسومات التوضيحية وكراس التمارين.

أعرف المزيد

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications وتم النشر بواسطة Springer. الأرقام الدولية المعيارية للكتب الدراسية الإلكترونية والرقمية لـ Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories هي 9789402408416, 940240841X و الأرقام الدولية المعيارية للكتاب (ISBN) هي 9789402408393, 9402408398. وفّر حتى 80% في مقابل الطباعة عن طريق الانتقال إلى الحياة الرقمية من خلال VitalSource.

العودة إلى الأعلى