Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond

Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond تمت الكتابة بواسطة Guilei Wang وتم النشر بواسطة Springer. الأرقام الدولية المعيارية للكتب الدراسية الإلكترونية والرقمية لـ Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond هي 9789811500466, 9811500460 و الأرقام الدولية المعيارية للكتاب (ISBN) هي 9789811500459, 9811500452. وفّر حتى 80% في مقابل الطباعة عن طريق الانتقال إلى الحياة الرقمية من خلال VitalSource.

Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond تمت الكتابة بواسطة Guilei Wang وتم النشر بواسطة Springer. الأرقام الدولية المعيارية للكتب الدراسية الإلكترونية والرقمية لـ Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond هي 9789811500466, 9811500460 و الأرقام الدولية المعيارية للكتاب (ISBN) هي 9789811500459, 9811500452. وفّر حتى 80% في مقابل الطباعة عن طريق الانتقال إلى الحياة الرقمية من خلال VitalSource.