Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications 2nd Auflage verfasst von ByungEun Park; ‎Hiroshi Ishiwara; ‎Masanori Okuyama und veröffentlicht von Springer. Die Digital- und eTextbook-ISBNs für Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories lauten 9789811512124, 9811512124 und die Druck-ISBNs lauten 9789811512117, 9811512116. Spare durch digitales Arbeiten mit VitalSource bis zu 80% gegenüber Druck.

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications 2nd Auflage verfasst von ByungEun Park; ‎Hiroshi Ishiwara; ‎Masanori Okuyama und veröffentlicht von Springer. Die Digital- und eTextbook-ISBNs für Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories lauten 9789811512124, 9811512124 und die Druck-ISBNs lauten 9789811512117, 9811512116. Spare durch digitales Arbeiten mit VitalSource bis zu 80% gegenüber Druck.